Hydrogen-induced splitting in silicon over a buried layer heavily doped with boron

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2003-06, Vol.37 (6), p.620-624
Hauptverfasser:	Kilanov, D. V., Popov, V. P., Safronov, L. N., Nikiforov, A. I., Sholz, R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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