Special features of formation and characteristics of Ni/21R-SiC Schottky diodes
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Veröffentlicht in: | Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2003-04, Vol.37 (4), p.456-461 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 1063-7826 1090-6479 |
DOI: | 10.1134/1.1568468 |