Tensoresistive effects in tin-doped silicon under static and dynamic pressure conditions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Technical physics letters 2003-03, Vol.29 (2), p.95-96
Hauptverfasser:	Mamatkarimov, O. O., Khamidov, R. Kh
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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