Two-wavelength emission from a GaInPAsSb/InAs structure with a broken-gap isotype heterojunction and a p-n junction in the substrate

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Technical physics letters 2002-12, Vol.28 (12), p.1001-1003
Hauptverfasser:	Aidaraliev, M., Zotova, N. V., Karandashev, S. A., Matveev, B. A., Remennyi, M. A., Stus’, N. M., Talalakin, G. N., Shustov, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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