Features of the structure of a porous silicon carbide layer obtained by electrochemical etching of a 6H-SiC substrate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Technical physics letters 2002-11, Vol.28 (11), p.935-938
Hauptverfasser:	Sorokin, L. M., Savkina, N. S., Shuman, V. B., Lebedev, A. A., Mosina, G. N., Hutchison, G.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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