Structural and electrical characteristics of epitaxial InP layers on porous substrates and the parameters of related Au-Ti Schottky barriers

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Technical physics letters 2002-09, Vol.28 (9), p.735-739
Hauptverfasser:	Arsent’ev, I. N., Baidakova, M. V., Bobyl’, A. V., Vavilova, L. S., Konnikov, S. G., Ulin, V. P., Boltovets, N. S., Konakova, R. V., Milenin, V. V., Voitsikhovskii, D. I.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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