Electrical properties of tellurium clusters on the void sublattice of an opal crystal: The important role played by the Te-SiO2 interface

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physics of the solid state 2002-09, Vol.44 (9), p.1774-1778
Hauptverfasser:	Berezovets, V. A., Bogomolov, V. N., Farbshtein, I. I., Nizhankovskii, V. I.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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