Silicon nanocrystal formation upon annealing of SiO2 layers implanted with Si ions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2002-06, Vol.36 (6), p.647-651
Hauptverfasser:	Kachurin, G. A., Yanovskaya, S. G., Volodin, V. A., Kesler, V. G., Leier, A. F., Ruault, M. -O.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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