Spectral line width of the current-tunable lasers on the base of InAsSb/InAsSbP at low temperature

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2002-05, Vol.36 (5), p.592-598
Hauptverfasser:	Imenkov, A. N., Kolchanova, N. M., Kubat, P., Tsivish, S., Yakovlev, Yu. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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