Increase in quantum efficiency of IR emission in elastically strained narrow-gap semiconductors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2002-04, Vol.36 (4), p.404-409
Hauptverfasser:	Gasan-zade, S. G., Strikha, M. V., Staryi, S. V., Shepel’skii, G. A., Boiko, V. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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