Determination of the matrix element of the quasi-momentum operator in the zero-gap semiconductor HgSe by the field-effect method in electrolyte

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2002-04, Vol.36 (4), p.390-393
Hauptverfasser:	Shevchenko, O. Yu, Radantsev, V. F., Yafyasov, A. M., Bozhevol’nov, V. B., Ivankiv, I. M., Perepelkin, A. D.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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