InAsSb/InAsSbP double-heterostructure lasers emitting in the 3–4 µm spectral range

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2001-12, Vol.35 (12), p.1404-1417
Hauptverfasser:	Danilova, T. N., Imenkov, A. N., Kolchanova, N. M., Yakovlev, Yu. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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