Simultaneous doping of silicon layers with erbium and oxygen in the course of molecular-beam epitaxy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2001-08, Vol.35 (8), p.918-923
Hauptverfasser:	Shengurov, V. G., Svetlov, S. P., Chalkov, V. Yu, Maksimov, G. A., Krasil’nik, Z. F., Andreev, B. A., Stepikhova, M. V., Shengurov, D. V., Palmetshofer, L., Ellmer, H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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