Fine Structure of the Edge Ultraviolet Luminescence of GaN:Mg Films Activated in a Nitrogen Plasma and the Electroluminescence of a ZnO–GaN:Mg Heterostructure Based on These Films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2001-06, Vol.35 (6), p.695
1. Verfasser:	Georgobiani, A. N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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