Mechanism of the current flow in Pd-(heavily doped p-AlxGa1−x N) ohmic contact

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2001-05, Vol.35 (5), p.529-532
Hauptverfasser:	Blank, T. V., Goldberg, Yu. A., Kalinina, E. V., Konstantinov, O. V., Nikolaev, A. E., Fomin, A. V., Cherenkov, A. E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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