The dislocation origin and model of excess tunnel current in GaP p-n structures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2000-01, Vol.34 (11), p.1305-1310
Hauptverfasser:	Evstropov, V. V., Dzhumaeva, M., Zhilyaev, Yu. V., Nazarov, N., Sitnikova, A. A., Fedorov, L. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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