A study of an Al-Ge3N4-Ge structure by the method of photo-capacitance-voltage characteristics

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2000-01, Vol.34 (10), p.1183-1185
Hauptverfasser:	Dzhanelidze, R. B., Dzhanelidze, M. B., Katsiashvili, M. R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!