Breakdown of shallow-level donors in Si and Ge on the insulating side of a strain-induced metal-insulator transition

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2000-01, Vol.34 (9), p.1021-1023
Hauptverfasser:	Budzulyak, S. I., Venger, E. F., Dotsenko, Yu. P., Ermakov, V. N., Kolomoets, V. V., Machulin, V. F., Panasyuk, L. I.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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