A new approach to the creation of nanoelectronic systems using a dimensionally-quantized potential relief of charges built into insulating layers on a semiconductor surface

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Technical physics letters 2000-01, Vol.26 (1), p.19-20
Hauptverfasser: Gol’dman, E. I., Zhdan, A. G.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1063-7850
1090-6533
DOI:10.1134/1.1262725