Tunnel light-emitting Si:(Er,O) diodes with a short rise time of Er3+ electroluminescence under breakdown conditions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2000-08, Vol.34 (8), p.927-930
Hauptverfasser:	Emel’yanov, A. M., Sobolev, N. A., Trishenkov, M. A., Khakuashev, P. E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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