Application of superfast (102–103 °C/s) cooling of a solution-melt in the liquid-phase epitaxy of semiconductors
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Veröffentlicht in: | Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1999-09, Vol.33 (9), p.1030-1033 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 1063-7826 1090-6479 |
DOI: | 10.1134/1.1187833 |