A comparison of the temperature dependences of photoeffect quantum efficiencies in GaAs p-n structures and Schottky diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1999-07, Vol.33 (7), p.804-806
Hauptverfasser:	Goldberg, Yu. A., Konstantinov, O. V., Lantratov, V. M., Obolensky, O. I., Petelina, T. V., Posse, E. A., Shvarts, M. Z.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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