Nanorelief of an oxidized cleaved surface of a grid of alternating Ga0.7Al0.3As and GaAs heterolayers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1999-05, Vol.33 (5), p.555-558
Hauptverfasser:	Ankudinov, A. V., Evtikhiev, V. P., Tokranov, V. E., Ulin, V. P., Titkov, A. N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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