Erratum: Study of GaN thin layers subjected to high-temperature rapid thermal annealing [Semiconductors 32, 1048–1053 (October 1998)]

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1999-02, Vol.33 (2), p.222-222
Hauptverfasser:	Katsavets, N. I., Laws, G. M., Harrison, I., Larkins, E. C., Benson, T. M., Cheng, T. S., Foxon, C. T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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