Optical intersubband transitions in strained quantum wells utilizing In1−x GaxAs/InP solid solutions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1999-01, Vol.33 (1), p.72-79
Hauptverfasser: Stoklitskii, S. A., Murzin, V. N., Mityagin, Yu. A., Monemar, B., Holtz, P. O.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1063-7826
1090-6479
DOI:10.1134/1.1187650