Weak localization and intersubband transitions in δ-doped GaAs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1998-12, Vol.32 (12), p.1299-1303
Hauptverfasser:	Min’kov, G. M., Negashev, S. A., Rut, O. É., Germanenko, A. V., Valyaev, V. V., Gurtovoi, V. L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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