Photoelectric properties of GaN/GaP heterostructures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1998-10, Vol.32 (10), p.1077-1079
Hauptverfasser:	Botnaryuk, V. M., Raevskii, S. D., Bel’kov, V. V., Zhilyaev, Yu. V., Rud’, Yu. V., Fedorov, L. M., Rud’, V. Yu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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