Effect of isovalent indium doping on excess arsenic in gallium arsenide grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1998-07, Vol.32 (7), p.692-695
Hauptverfasser:	Chaldyshev, V. V., Kunitsyn, A. E., Tret’yakov, V. V., Faleev, N. N., Preobrazhenskii, V. V., Putyato, M. A., Semyagin, B. R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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