Electric and photoelectric properties of n-GaxIn1−x N/p-Si anisotypic heterojunctions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1998-04, Vol.32 (4), p.412-416
Hauptverfasser:	Aleksandrov, S. E., Zykov, V. A., Gavrikova, T. A., Krasovitskii, D. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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