Annihilation of nonradiative recombination centers in GaAs/AlGaAs multiquantum well structures as a result of exposure to plasma

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1997-12, Vol.31 (12), p.1241-1243
Hauptverfasser:	Zhuravlev, K. S., Kolosanov, V. A., Marahovka, I. I., Holland, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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