Evolution of the current-voltage characteristics of photoluminescing porous silicon during chemical etching

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1997-12, Vol.31 (12), p.1221-1224
Hauptverfasser:	Gorbach, T. Ya, Svechnikov, S. V., Smertenko, P. S., Tul’chinskii, P. G., Bondarenko, A. V., Volchek, S. A., Dorofeev, A. M., Masini, G., Maiello, G., La Monica, S., Ferrari, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!