Effect of band-gap narrowing on the diffusion of charged impurities in semiconductors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1997-11, Vol.31 (11), p.1148
1. Verfasser:	Sokolovskiı̆, B. S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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