Kinetics of the redistribution of an impurity in quasiperiodic structures appearing in heavily boron-doped silicon irradiated by boron ions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1997-06, Vol.31 (6), p.600
1. Verfasser:	Myasnikov, A. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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