The effect of a “Coulomb well” on the absorption and magnetoabsorption spectra of strained InGaAs/GaAs heterostructures

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1997-09, Vol.31 (9), p.950-960
Hauptverfasser:	Kavokin, A. V., Kokhanovskii, S. I., Nesvizhkii, A. I., Sasin, M. É., Seisyan, R. P., Ustinov, V. M., Egorov, A. Yu, Zhukov, A. E., Gupalov, S. V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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