Investigation of the structural properties of GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1997-10, Vol.31 (10), p.1003-1005
Hauptverfasser:	Galiev, G. B., Imamov, R. M., Medvedev, B. K., Mokerov, V. G., Mukhamedzhanov, É. Kh, Pashaev, É. M., Cheglakov, V. B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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