IIIB-8 UPMOS-A new approach to submicrometer VLSI

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1987-11, Vol.34 (11), p.2368-2369
Hauptverfasser:	Foo, P.D., Liu, R., Lebowitz, J., Orlowsky, K.J., Hillenius, S.J., Lynch, W.T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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