IVB-5 on-state characteristics of the MOS-controlled thyristor (MCT)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1986-11, Vol.33 (11), p.1854-1855
Hauptverfasser:	Temple, V.A.K., Pattanayak, D.N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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