IIB-1 the role of stress in two-dimensional silicon oxidation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1985-11, Vol.32 (11), p.2530-2531
Hauptverfasser:	Kao, D.B., Saraswat, K.C., McVittie, J.P., Nix, W.D.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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