IIA-7 8.5-Picosecond ring oscillator gate delay with self-aligned gate modulation-doped n+-(Al,Ga)As/GaAs FET's

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1985-11, Vol.32 (11), p.2530-2530
Hauptverfasser:	Cirillo, N.C., Abrokwah, J.K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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