A new open diffusion technique using evaporated Zn 3 P 2 and its application to a lateral p-n-p transistor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 1984-08, Vol.31 (8), p.1083-1085
Hauptverfasser: Schmitt, F., Li Man Su, Franke, D., Kaumanns, R.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/T-ED.1984.21665