IIB-8 Large signal switching response of submicron Si and GaAs MESFET's: Device vs circuit

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1981-10, Vol.28 (10), p.1220-1220
Hauptverfasser:	Faricelli, J., Nulman, J., Krusius, P., Frey, J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Capacitance Ions Logic gates Optical switches Silicon Temperature dependence
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