WA-B1 direct ion implantation studies of large-diameter undoped GaAs prepared by LEC growth for monolithic X-band power FET circuits

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1980-11, Vol.27 (11), p.2195-2195
Hauptverfasser:	Eldridge, G.W., Hobgood, H.M., Barrett, D.L., Braggins, T.T., Thomas, R.N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Gallium arsenide Integrated circuit modeling Logic gates MOSFET Silicon Silicon compounds Substrates
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