TP-B2 room-temperature of a GaInAsP/InP double-heterostructure laser grown by low-pressure metallorganic chemical-vapor deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1980-11, Vol.27 (11), p.2191-2191
Hauptverfasser:	Hirtz, J.P., Duchemin, J.P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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