WP-A4 electrical properties of plasma-deposited Si-N films on GaAs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1979-11, Vol.26 (11), p.1854-1854
Hauptverfasser:	Ohnstein, T.R., Robinson, G.Y., Helix, M.J., Streetman, B.G., Vaidyanathan, K.V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Gallium arsenide Implants Metallization Pollution measurement Silicon Substrates
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