GaInAsP/InP double-heterostructure planar LED's
Ga x In 1-x AS y P 1-y /InP double-heterostructure wafers were grown on
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 1979-08, Vol.26 (8), p.1227-1230 |
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Hauptverfasser: | , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Zusammenfassung: | Ga x In 1-x AS y P 1-y /InP double-heterostructure wafers were grown on |
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ISSN: | 0018-9383 1557-9646 |
DOI: | 10.1109/T-ED.1979.19583 |