A 200-MHz 300°C gallium arsenide MIS transistor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1968-06, Vol.15 (6), p.414-415
Hauptverfasser:	Becke, H.W., White, J.P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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