MOS capacitance evaluation of gold diffusion in silicon and thermally grown silicon dioxide

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1966-08, Vol.ED-13 (8/9), p.673-673
Hauptverfasser:	Collins, D.R., Schroder, D.K., Sah, C.T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Gold Piezoresistance Resistors Resonant frequency Sensitivity Silicon Stress
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