Optimum length of emitter stripes in 'comb' structure transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1965-02, Vol.12 (2), p.84-85
Hauptverfasser:	Cave, K.J.S., Barnes, J.A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum Junctions Laboratories Resistance Silicon Training Transistors
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