Study of silicon carbide for X-ray detection and spectroscopy

This work presents an analysis of silicon carbide (SiC) as semiconductor for the realization of detectors for soft X-rays (

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on nuclear science 2003-02, Vol.50 (1), p.175-185
Hauptverfasser:	Bertuccio, G., Casiraghi, R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Current density Detectors Electronics Energy resolution FETs Prototypes Semiconductor diodes Semiconductors Silicon Silicon carbide Spectroscopy Temperature distribution X-ray detection X-ray detectors X-rays
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