Viscous Shear Flow Model for MOS Device Radiation Sensitivity

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on nuclear science 1976-01, Vol.23 (6), p.1534-1539
Hauptverfasser:	EerNisse, E. P., Derbenwick, G. F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing Electron traps Ionizing radiation MOS devices Occupational stress Oxidation Process design Temperature sensors Thermal stresses Threshold voltage
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